Vanguard anuncia segunda planta en Singapur el día que inaugura la primera

María González · Empresas y Resultados · 2026-09-28

VSMC agotó los 44.000 wafers mensuales de su primera fab antes de empezar producción comercial. La joint venture con NXP ya planea expandir mientras la escasez de chips IA persiste.

VisionPower Semiconductor Manufacturing Company (VSMC) inauguró este lunes su primera planta de obleas de 300mm en Tampines, Singapur, y en paralelo anunció planes para una segunda instalación. La capacidad inicial de la primera —aproximadamente 44.000 wafers mensuales— ya está completamente comprometida con clientes, incluso antes de que arranque la producción comercial plena prevista para el primer trimestre de 2027.

La velocidad del anuncio refleja una señal de mercado clara: la demanda de chips para infraestructura de <abbr title="Inteligencia Artificial">IA</abbr> sigue superando a la oferta disponible, pese a los esfuerzos de expansión simultánea de TSMC y sus afiliadas. Leuh Fang, presidente de Vanguard International Semiconductor y de la joint venture VSMC, lo resumió sin ambigüedad: «La escasez de suministro durará un tiempo… Deberíamos haber construido dos plantas aquí desde el principio».

De $7,8B estimados a $6,7B ejecutados

VSMC completó la construcción en menos de dos años, con una inversión final de $6.700 millones, por debajo de los $7.800 millones proyectados inicialmente. La diferencia se explica por un pivote estratégico: la planta incorporó tecnología licenciada de TSMC para fabricar silicon interposers en nodos de 30-40nm, además de los procesos originales de 40nm a 130nm.

La estructura de propiedad reparte el capital entre Vanguard (60%, con $2.400 millones) y NXP Semiconductors (40%, con $1.600 millones). TSMC mantiene aproximadamente 19% de participación en Vanguard y actúa como licenciante tecnológico, aunque no es parte directa de VSMC.

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Segunda planta con tecnología más avanzada

Fang confirmó en entrevista con Bloomberg que la nueva instalación «podría fabricar chips más avanzados que la primera planta», aunque aclaró que la ruta tecnológica, el cronograma de construcción y la escala de inversión aún no están finalizados. «Diferentes nodos de proceso requieren configuraciones de equipo e inversiones de capital significativamente distintas, por lo que es prematuro discutir un presupuesto específico en esta etapa», precisó.

La decisión no es improvisada. En mayo de 2026, Fang ya había señalado la posibilidad de expansión, notando que la demanda subía más rápido de lo proyectado. La inauguración de hoy convierte esa posibilidad en plan ejecutable: la capacidad se vendió antes de que la primera oblea saliera de la línea de producción.

Singapur frente a Arizona

La diferencia no es menor. Mientras Wall Street penalizó a TSMC por el <abbr title="Capital Expenditure, inversión en activos fijos">capex</abbr> masivo de Arizona —la acción cayó pese a elevar guidance en agosto—, la expansión de Vanguard en Singapur llega con capacidad vendida y sin impacto directo en los márgenes consolidados de la matriz taiwanesa.

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Reacción del mercado

Las acciones de NXP Semiconductors (NASDAQ: NXPI) cerraron el viernes pasado en $238,08 y hoy operan en $238,08, una subida del +3,44%. El precio actual queda un 28,4% por debajo del máximo de 52 semanas ($332,67), aunque acumula +6,7% en el último mes.

TSMC (NYSE: TSM), por su parte, cotiza en $450,61 este lunes, prácticamente plano (-0,12%). La acción de la matriz taiwanesa sigue digiriendo el anuncio masivo de capex en EE.UU., mientras sus afiliados ejecutan expansiones regionales de menor escala y mayor rentabilidad inmediata.

Cronología de VSMC

La escasez global de semiconductores —incluso con TSMC construyendo simultáneamente unas 20 fabs en Taiwan y el extranjero— sigue siendo el dato estructural. C.C. Hou, CFO de TSMC, declaró en julio que «incluso la expansión actual no es suficiente para satisfacer la demanda». La velocidad con que VSMC agotó su primera planta confirma esa lectura: el mercado de chips para IA y data centers no muestra señales de saturación.