CXMT salta a NAND con 10% en DRAM aunque la línea es solo I+D por ahora

María González · Tecnología · 2026-09-18

Reuters confirma hoy que el fabricante chino planea una línea de investigación de memoria flash en Pekín. Samsung y SK Hynix tienen un nuevo frente, pero sin timeline comercial claro.

CXMT planea establecer una línea de investigación y desarrollo de memoria <abbr title="Tipo de memoria flash usado para almacenamiento de largo plazo en ordenadores y servidores">NAND flash</abbr> en su nueva planta de Pekín, según reportó Reuters hoy viernes citando tres fuentes cercanas al plan. La firma china, que captura el 10% del mercado global de DRAM en septiembre de 2026, da así el salto desde la memoria de trabajo (DRAM) hacia la de almacenamiento (NAND), un territorio dominado por Samsung, SK Hynix y Micron.

El anuncio llega aproximadamente tres semanas después de que CXMT arrancara producción limitada de HBM3E, la memoria de alto ancho de banda que usan los chips de IA. Ahora amplía el perímetro hacia NAND mientras la escasez global de memoria, causada por la demanda de servidores de inteligencia artificial, se espera que dure al menos hasta 2027.

I+D no es capacidad comercial

CXMT está preparando una línea de I+D, no ha anunciado un objetivo de capacidad comercial completa, y la compañía no ha detallado públicamente un cronograma de producción ni volumen esperado, según el reporte de Reuters. La firma creó un instituto de investigación en la capital china y los proyectos incluyen desarrollo de NAND, dijo una fuente. El paso es estratégico, pero no equivale a capacidad de fabricación masiva: CXMT está armando el laboratorio, no la línea de ensamblaje.

CXMT salta a NAND con 10% en DRAM aunque la línea es solo I+D por ahora

En la sesión del jueves 17 de septiembre, Micron cerró en $977.5, subiendo +5.5% y recuperando terreno desde su mínimo reciente de $923 tras la caída de 19% provocada por el anuncio inicial de capacidad de CXMT en agosto. SK Hynix también cerró en verde, en $182.99 (+4.64%). El mercado digiere la noticia de hoy sin pánico: el plan de CXMT es aún papel y laboratorio, no volumen comercial inmediato.

Convergencia entre CXMT y YMTC

CXMT y <abbr title="Yangtze Memory Technologies Corp, el principal fabricante chino de memoria NAND flash">YMTC</abbr> han operado hasta ahora en carriles separados: el primero domina DRAM en China, el segundo lidera NAND. El movimiento enfrenta al especialista en DRAM contra su rival doméstico YMTC, llevándolo a uno de los segmentos de semiconductores de más rápido crecimiento. En abril, Reuters reportó que YMTC había enviado muestras de DRAM de bajo consumo a clientes mientras evaluaba entrar en el mercado principal de CXMT.

Ambas firmas son conocidas en China como las «estrellas gemelas» de la industria de chips de memoria. Ambas crecieron con respaldo del fondo nacional de semiconductores de China y gobiernos locales. La convergencia acelera: las dos expanden hacia el territorio de la otra mientras la demanda de IA mantiene los precios firmes y reduce el riesgo de guerra de precios.

CXMT salta a NAND con 10% en DRAM aunque la línea es solo I+D por ahora

Capital y timing

CXMT recaudó aproximadamente $8.6 mil millones en su IPO de 2026, dándole capital adicional para expandir investigación y manufactura. El timing del plan de NAND coincide con un ciclo favorable: expertos de la industria predicen que 2027 podría ser el peor año para oferta, con la estrechez de suministros de NAND aliviándose solo en la segunda mitad del año siguiente. El enfoque del gasto de capital en DRAM y memoria de alto ancho de banda ha limitado la expansión de capacidad NAND, exacerbando las escaseces en este sector.

La ventana de oportunidad es real: los precios de DRAM se proyectaron subir entre 30% y 40% durante 2026, y NAND sigue un patrón similar. CXMT puede entrar sin temor inmediato a competencia de precios agresiva. Pero la brecha tecnológica persiste: CXMT no tiene acceso a máquinas de litografía <abbr title="Extreme Ultraviolet, tecnología avanzada de litografía necesaria para fabricar chips de última generación">EUV</abbr>, esenciales para fabricación de chips avanzados, debido a restricciones de exportación.

Datos con contexto

El salto de CXMT de 4% a 10% de cuota DRAM global en poco más de un año es notable, pero fabricar cada bit le cuesta 30% más que a Samsung o SK Hynix, según datos publicados en agosto. En un mercado de DRAM commodity, donde los precios los fijan los incumbentes globales, ese sobrecosto comprime márgenes. CXMT compensa con volumen y con clientes chinos dispuestos a pagar prima por suministro doméstico; en algunos casos, ha cobrado más que sus competidores extranjeros, según Reuters reportó en julio.

En NAND, el desafío es similar pero más complejo: Samsung, SK Hynix y Micron controlan más del 70% del mercado global y dominan la tecnología de nodos avanzados. CXMT entrará con tecnología menos avanzada, pero en un segmento donde la escasez proyectada hasta 2027-2030 da espacio a jugadores adicionales. El movimiento de CXMT ampliaría la exposición de la compañía a un ciclo de memoria impulsado por IA mientras da a China otro proveedor doméstico en un segmento que sigue dominado por empresas extranjeras.

Reuters reportó que la matriz de YMTC también se prepara para una cotización en Shanghái. Ambas firmas son pilares clave del esfuerzo de Pekín por construir una industria de chips autosuficiente y cerrar la brecha en tecnologías estratégicas como la IA, mientras las restricciones de exportación de EE.UU. limitan el acceso a algunos equipos avanzados de fabricación de chips y procesadores de IA.