Citi extiende la escasez de memoria hasta 2031 por continual learning
María González · Tecnología · 2026-09-19
El banco proyecta déficits crecientes en DRAM y HBM durante cinco años más. El cambio: los modelos de IA ya no solo infieren, actualizan conocimiento en paralelo.
Citi publicó el lunes una nota de investigación que extiende la escasez de chips de memoria hasta 2031, cinco años más allá de las proyecciones actuales del mercado. La causa: el <abbr title="Enfoque en IA donde los modelos se actualizan continuamente con nueva información mientras retienen conocimiento previo">continual learning</abbr> (aprendizaje continuo) en sistemas de inteligencia artificial, que multiplica la demanda de memoria y almacenamiento simultáneamente. El banco proyecta déficits de oferta-demanda en DRAM de -8,7% en 2027 y -9,7% en 2028, ratios que empeoran en vez de cerrarse.
La arquitectura tradicional de IA separa entrenamiento e inferencia: se entrena un modelo, se despliega y luego se usa. Pero el continual learning borra esa frontera. Los sistemas ahora deben entrenar, inferir y actualizar conocimiento al mismo tiempo, reteniendo información previamente aprendida. Eso dispara la necesidad de memoria de alto ancho de banda (<abbr title="High Bandwidth Memory, tipo de memoria apilada que ofrece mayor velocidad de transferencia de datos que DRAM convencional">HBM</abbr>) y de <abbr title="Enterprise Solid-State Drives, unidades de almacenamiento SSD para centros de datos">eSSDs</abbr> para almacenar el historial. No es un pico de demanda; es un cambio estructural.
HBM crece 62% en 2027 y otros 69% en 2028
Citi pronostica que la demanda de bits HBM aumentará 62% interanual hasta 75,2 mil millones de gigabits en 2027, seguido de otro salto del 69% a 127,0 mil millones de gigabits en 2028. La oferta no sigue ese ritmo: la capacidad promedio de oblea de DRAM crecerá solo un 8% en 2027, mientras la demanda global de DRAM sube 30% ese año y 35% en 2028. El banco estima que el suministro de DRAM crecerá 19% en 2027 y 22% en 2028, dejando brechas crecientes año tras año.

El desequilibrio también alcanza a la memoria <abbr title="Tipo de memoria flash no volátil usada en SSDs y almacenamiento de datos">NAND</abbr>. Citi anticipa crecimiento de demanda del 29% en 2027 y 33% en 2028, frente a aumentos de oferta de 21% y 25%. Los ratios oferta-demanda de NAND quedan en -6,1% en 2027 y -5,5% en 2028, comparado con un estimado -0,8% en 2026. La tendencia es clara: el déficit se ensancha.
Ese dato señala dónde se concentra la presión: los centros de datos que ejecutan <abbr title="Inferencia en inteligencia artificial, proceso de usar un modelo entrenado para hacer predicciones sobre nuevos datos">inferencia</abbr> y entrenamiento continuo de modelos de IA. Como ya publicamos, UBS elevó el <abbr title="Capital Expenditure, gasto de capital en inversiones de largo plazo">capex</abbr> total de IA a casi $1 billón en 2026 y $1,4 billones en 2027, con la memoria llevándose 64% del presupuesto en 2027 (unos $923 mil millones). Citi, en un análisis separado, desglosa el capex específico en memoria: $80,4 mil millones en capex global de memoria (DRAM + NAND) en 2027, un alza del 46,5% interanual. De esa cifra, $58,6 mil millones se destinan solo a DRAM (+51,6% interanual), liderados por Samsung Electronics ($20,6 mil millones), SK Hynix ($17,5 mil millones) y Micron ($15,8 mil millones).
Precios: +242% en 2026, otro +23% en 2027
El ciclo alcista de precios sigue vigente. Citi estima que tras un aumento del 242,4% en los precios promedio de DRAM en 2026, los <abbr title="Average Selling Price, precio promedio de venta">ASP</abbr> aún pueden subir otro 23,1% interanual en 2027. No es un pico que se agota; es normalización dentro de un mercado que sigue apretado. Lip-Bu Tan, CEO de Intel, ya advirtió que la escasez se intensificará hasta 2028. Citi lleva esa proyección tres años más allá.
- HBM3E spot vs. contratos largos: diferencial de factor 4 a 5 en septiembre 2026, según IntuitionLabs. Los proveedores priorizan contratos multiaño sobre mercado abierto.
- JEDEC amplió ancho de banda: de 256 GB/s en 2016 a objetivo de 2 TB/s bajo HBM4.
- Producción HBM 2026: vendida en su totalidad según llamadas de resultados de proveedores.
La razón por la que la oferta no alcanza es estructural: una proporción significativa de la inversión incremental en DRAM fluye hacia capacidad HBM y procesos avanzados, no hacia DRAM de propósito general. El mercado de commodities queda con alivio limitado mientras la demanda de aceleradores de IA consume la nueva capacidad.
El mercado reaccionó el viernes con subidas en todo el sector
En la sesión del viernes 18 de septiembre, Micron (MU) cerró en $1.015,80 (+3,92%), acumulando un alza del +502,42% en el último año. SK Hynix (SKHY) subió 2,46% a $187,50, mientras SanDisk (SNDK) repuntó 10,99% a $1.791,82. Los proveedores de equipamiento también avanzaron: Applied Materials (AMAT) ganó 6,51% a $444,57 y Lam Research (LRCX) sumó 6,98% a $288,11. Citi identificó a Samsung, SK Hynix, Micron, SanDisk y Kioxia como sus fabricantes de semiconductores de memoria preferidos.
El reporte valida el ciclo alcista que atraviesa el sector desde 2026. Nvidia duplicó sus compromisos de suministro en un trimestre, principalmente en HBM, asegurando $279 mil millones en contratos que dan a SK Hynix, Samsung y Micron visibilidad de ingresos sin precedentes. La proyección de Citi extiende esa visibilidad hasta 2031.
Citi advierte que sus supuestos de demanda son excepcionalmente alcistas. Una desaceleración en la adopción de IA o mejoras inesperadas en eficiencia de memoria cambiarían el escenario. Pero el banco apuesta a que el continual learning no es una moda: es el modelo operativo que vienen adoptando los sistemas de próxima generación. Si eso se confirma, el mercado de memoria enfrenta media década más de oferta persiguiendo a una demanda que crece al doble de velocidad.