Samsung salta a 286 capas en China bajo visto bueno anual que puede caer
María González · Tecnología ·
La surcoreana escala su planta Xi'an de 5.000 a 40.000 wafers mensuales en 2027, multiplicando rendimiento por 8. SK Hynix sube a 240 capas en Dalian. Washington dijo en 2025 que no aprobaría upgrades tecnológicos, pero ambas avanzan con licencia temporal.
Samsung Electronics convierte su planta de Xi'an, en el noroeste de China, para producir chips <abbr title="Memoria flash que retiene datos sin energía, usada en smartphones, computadoras y servidores">NAND</abbr> V9 de 286 capas, apuntando a 5.000 obleas mensuales en diciembre de este año y escalando a 40.000 en diciembre de 2027, según reportó Reuters hoy citando cuatro fuentes cercanas a los planes. SK Hynix mueve en paralelo: su operación en Dalian cambia a productos NAND de 240 capas como mínimo, frente a las 192 actuales.
La jugada tiene un problema de fondo: ambas compañías requieren licencias anuales de EE.UU. para instalar equipo estadounidense en China, y el Departamento de Comercio dijo en 2025 que no pretendía otorgar licencias para mejoras tecnológicas o expansión de capacidad en las fábricas chinas existentes. Hoy, con los upgrades en marcha, Samsung aseguró que el proyecto cumple regulaciones de exportación y apunta a satisfacer demanda creciente de clientes globales, incluidos estadounidenses. SK Hynix confirmó que las actualizaciones están en marcha en consulta cercana con Washington.
Multiplicar por 8 sin llamarlo expansión
Samsung presenta la operación como optimización tecnológica, no como expansión de capacidad. Pero los números cuentan otra historia: pasar de 5.000 obleas al mes a 40.000 en un año es un salto de rendimiento del 700%. La planta Xi'an representa aproximadamente el 40% de la producción global de NAND de Samsung, según datos del sector. Aumentar el número de capas —de las actuales ~200 a 286— mejora la densidad de almacenamiento y puede reducir costos de fabricación, lo que en la práctica equivale a más chips por oblea.
YMTC ya está en 294 capas
La carrera tecnológica tiene un competidor local que avanza rápido. YMTC, el fabricante de memoria chino respaldado por el Estado, ya comenzó producción en masa de chips NAND de 294 capas, superando en tecnología el objetivo de Samsung para 2027. En cuota de mercado NAND dentro de China durante el segundo trimestre de 2026, YMTC captura 38,5%, Samsung cae a 33,5% y SK Hynix mantiene 17%, según datos de Omdia.
El avance de YMTC no es aislado: CXMT planea una línea de I+D de memoria NAND en Pekín, ampliando el frente chino desde DRAM hacia memoria flash. Samsung y SK Hynix operan bajo restricciones que sus rivales locales no enfrentan, lo que convierte cada actualización tecnológica en un ejercicio de equilibrio regulatorio.
| Fabricante | Cuota Q2 2026 | Capas actuales/objetivo |
|---|---|---|
| YMTC | 38,5% | 294 (en producción) |
| Samsung | 33,5% | 286 (objetivo 2027) |
| SK Hynix | 17,0% | 240 (en upgrade) |
Licencias anuales bajo escrutinio
Washington revocó en 2025 el estatus de validated end users que ambas compañías disfrutaban desde 2023, cuando podían importar equipo estadounidense controlado sin solicitudes de licencia individuales. Ahora operan con una licencia anual más estrecha que cubre importaciones de equipo para 2026, renovable cada año. El marco regulatorio crea incertidumbre: cada upgrade tecnológico requiere visto bueno estadounidense, y Washington puede denegar futuras licencias sin previo aviso.
SK Hynix está autorizada a fabricar hasta 240 capas y puede buscar permiso estadounidense para investigación sobre productos que excedan 300 capas. Samsung, por su parte, no ha revelado públicamente el límite tecnológico de su licencia actual, pero el salto a 286 capas implica aprobación tácita para esa generación.
La demanda de IA empuja
Los chips NAND retienen datos sin energía y se usan ampliamente en smartphones, computadoras y unidades de estado sólido para servidores de IA. La explosión de centros de datos que entrenan y ejecutan modelos de lenguaje y visión ha disparado la demanda de memoria flash de alta densidad. Huawei diseña chips Ascend para DeepSeek, pero la producción no alcanza; ese cuello de botella en capacidad de cómputo empuja también la necesidad de almacenamiento NAND de alto rendimiento.
SK Hynix anunció en agosto inversión de $720 mil millones para triplicar capacidad de chips <abbr title="High Bandwidth Memory, memoria de alto ancho de banda para GPU de IA">HBM</abbr> hasta 2034, pero su acción cayó 21% desde julio porque el mercado no compra la tesis de escasez permanente. Hoy la acción de SK Hynix cotiza en $139,79, con caída del 2,16%, mientras Samsung se mantiene plana en $65,21.
La planta Xi'an de Samsung opera desde hace años como eje de producción NAND de la compañía. Convertirla a V9 de 286 capas consolida ese rol, pero también expone la apuesta: si Washington niega la renovación de licencia en 2027, el proyecto de 40.000 obleas mensuales quedaría en el aire. SK Hynix enfrenta la misma disyuntiva en Dalian. Ambas firmas apuestan a que el peso de la demanda estadounidense de chips NAND —y la presión de clientes como fabricantes de servidores y centros de datos— mantendrá las licencias activas. Por ahora, el greenlight está dado. Hasta diciembre de 2026.